反向传输电容(Crss):130pF@25V,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@4.5V,8A,工作温度:-50℃~+155℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):136nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):120W,输入电容(Ciss):5500pF@25V,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,8A | |
| 工作温度 | -50℃~+155℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 输入电容(Ciss) | 5500pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.411/个 |
| 10+ | ¥2.784/个 |
| 30+ | ¥2.47/个 |
| 100+ | ¥2.166/个 |
| 500+ | ¥1.786/个 |
| 1000+ | ¥1.691/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.617
2500 PCS/盘
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