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AP2R803GH-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- AP2R803GH-VB
- 商品编号
- C7568792
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000505千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):2mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):151nC@10V,栅极电荷量(Qg):71.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 151nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
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