反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):2Ω@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):620V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):550pF,输出电容(Coss):42pF,连续漏极电流(Id):3.8A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 620V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 输出电容(Coss) | 42pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |