反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):4.5Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@480V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):43.6W,输入电容(Ciss):560pF,输出电容(Coss):70pF,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@480V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 43.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |