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VBFB2102M
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBFB2102M
- 商品编号
- C480972
- 商品封装
- TO-251
- 商品毛重
- 0.000637千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.215Ω@10V,3.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@50V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1055pF@50V,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.215Ω@10V,3.6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@50V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1055pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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