反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):2.6Ω@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):38.8W,输入电容(Ciss):810pF,输出电容(Coss):100pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 38.8W | |
输入电容(Ciss) | 810pF | |
输出电容(Coss) | 100pF | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |