反向传输电容(Crss):3.1pF,导通电阻(RDS(on)):0.58Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.7nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):26W,输入电容(Ciss):410.8pF,输出电容(Coss):41.7pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):3.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.58Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 输入电容(Ciss) | 410.8pF | |
| 输出电容(Coss) | 41.7pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.48/个 |
| 10+ | ¥2.73/个 |
| 50+ | ¥2.41/个 |
| 100+ | ¥2.01/个 |
| 500+ | ¥1.84/个 |
| 1000+ | ¥1.73/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.2172
50 PCS/盘
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