反向传输电容(Crss):280pF@500V,导通电阻(RDS(on)):0.34Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):94nC@10V,漏源电压(Vdss):900V,耗散功率(Pd):208W,输入电容(Ciss):2400pF,输出电容(Coss):120pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 280pF@500V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.34Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 900V | |
耗散功率(Pd) | 208W | |
输入电容(Ciss) | 2400pF | |
输出电容(Coss) | 120pF | |
连续漏极电流(Id) | 15A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@1mA |