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HYG400P10LR1D
扩展库- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 厂家型号
- HYG400P10LR1D
- 商品编号
- C2827248
- 商品封装
- TO-252-2
- 商品毛重
- 0.000373千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):111pF,导通电阻(RDS(on)):63mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):83.1nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):100W,输入电容(Ciss):5003pF,输出电容(Coss):189pF,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 111pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83.1nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 输入电容(Ciss) | 5003pF | |
| 输出电容(Coss) | 189pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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