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STB23NM60ND
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STB23NM60ND
- 商品编号
- C283492
- 商品封装
- D2PAK
- 商品毛重
- 0.001845千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.175Ω@10V,数量:-,栅极电荷量(Qg):54.6nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):190W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):21A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.175Ω@10V | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
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