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G30N02T
扩展库- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 厂家型号
- G30N02T
- 商品编号
- C2842557
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00206千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):105pF,导通电阻(RDS(on)):10.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):40W,输入电容(Ciss):900pF,输出电容(Coss):162pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 输出电容(Coss) | 162pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.268/个 |
| 50+ | ¥0.921/个 |
| 150+ | ¥0.813/个 |
| 500+ | ¥0.679/个 |
| 2000+ | ¥0.619/个 |
| 4000+ | ¥0.583/个 |
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