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SIHD7N60E-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SIHD7N60E-GE3
- 商品编号
- C2842886
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 商品毛重
- 0.00066千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):0.6Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):40nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):78W,输入电容(Ciss):680pF,输出电容(Coss):39pF,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.6Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 输出电容(Coss) | 39pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.11/个 |
| 10+ | ¥7.69/个 |
| 30+ | ¥6.9/个 |
| 75+ | ¥6.02/个 |
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