反向传输电容(Crss):2.3pF,导通电阻(RDS(on)):3Ω@10V,工作温度:-50℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):10.2nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):109W,输入电容(Ciss):550pF,输出电容(Coss):46pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 109W | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 输出电容(Coss) | 46pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.98/个 |
| 10+ | ¥2.38/个 |
| 50+ | ¥1.99/个 |
| 100+ | ¥1.66/个 |
| 500+ | ¥1.52/个 |
| 1000+ | ¥1.43/个 |
| 2000+ | ¥1.41/个 |
| 4000+ | ¥1.4/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.8308
50 PCS/盘
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