反向传输电容(Crss):16pF,导通电阻(RDS(on)):117mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):106nC@18V,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):262W,输入电容(Ciss):2080pF,输出电容(Coss):77pF,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):4V@4.4mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 117mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@18V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 262W | |
| 输入电容(Ciss) | 2080pF | |
| 输出电容(Coss) | 77pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@4.4mA |