反向传输电容(Crss):4.5pF,导通电阻(RDS(on)):15Ω@1.5V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):100mW,输入电容(Ciss):9.3pF,输出电容(Coss):9.8pF,连续漏极电流(Id):100mA,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@1.5V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 输入电容(Ciss) | 9.3pF | |
| 输出电容(Coss) | 9.8pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.35/个 |
| 100+ | ¥0.273/个 |
| 300+ | ¥0.234/个 |
| 1000+ | ¥0.205/个 |
| 5000+ | ¥0.182/个 |
| 10000+ | ¥0.171/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.17
10000 PCS/盘
嘉立创补贴0.58%
一盘能省掉10元