反向传输电容(Crss):810pF,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):260nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):326W,输入电容(Ciss):13500pF,输出电容(Coss):950pF,连续漏极电流(Id):190A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 810pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 326W | |
输入电容(Ciss) | 13500pF | |
输出电容(Coss) | 950pF | |
连续漏极电流(Id) | 190A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |