导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):83nC@10V,漏源电压(Vdss):-,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):5430pF@25V,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 5430pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |