导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):83nC@10V,漏源电压(Vdss):-,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):5430pF@25V,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | - | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 5430pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 80A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |