反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):220mΩ@4.5V,栅极电荷量(Qg):0.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):33pF,输出电容(Coss):20pF,连续漏极电流(Id):0.5A,阈值电压(Vgs(th)):0.75V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.15W | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.75V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.167/个 |
| 200+ | ¥0.13/个 |
| 600+ | ¥0.11/个 |
| 3000+ | ¥0.0974/个 |
| 9000+ | ¥0.0867/个 |
| 21000+ | ¥0.081/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.08961
3000 PCS/盘
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