反向传输电容(Crss):68pF,导通电阻(RDS(on)):96mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.8W,输入电容(Ciss):1040pF,输出电容(Coss):80pF,连续漏极电流(Id):4.4A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 68pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 96mΩ@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.8W | |
输入电容(Ciss) | 1040pF | |
输出电容(Coss) | 80pF | |
连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.461/个 |
50+ | ¥0.364/个 |
150+ | ¥0.315/个 |
500+ | ¥0.278/个 |
3000+ | ¥0.23/个 |
6000+ | ¥0.215/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.215
3000 PCS/盘
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