上升时间(tr):150ns,下降时间(tf):50ns,工作温度:-40℃~+150℃@(Tj),工作电压:10V~20V,拉电流(IOH):200mA,灌电流(IOL):350mA,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 150ns | |
下降时间(tf) | 50ns | |
工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
工作电压 | 10V~20V | |
拉电流(IOH) | 200mA | |
灌电流(IOL) | 350mA | |
负载类型 | IGBT | |
负载类型 | MOSFET | |
驱动通道数 | 2 | |
驱动配置 | 半桥 |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥8.13/个 |
10+ | ¥6.8/个 |
30+ | ¥6.08/个 |
100+ | ¥5.25/个 |
500+ | ¥4.22/个 |
1000+ | ¥4.05/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.901
2500 PCS/盘
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