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1个N沟道耐压:30V 电流:80A

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品牌名称: ST(意法半导体)
厂家型号: STB155N3LH6
商品编号: C2970451
商品封装: D2PAK
商品毛重: 0.00195千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):420pF,导通电阻(RDS(on)):3mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):80nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):3800pF,输出电容(Coss):725pF,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	420pF
导通电阻(RDS(on))	3mΩ@10V
工作温度	-55℃~+175℃
数量	1个N沟道
栅极电荷量(Qg)	80nC@10V
漏源电压(Vdss)	30V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	110W
输入电容(Ciss)	3800pF
输出电容(Coss)	725pF
连续漏极电流(Id)	80A
阈值电压(Vgs(th))	2.5V

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10+	¥24.29/个
30+	¥23.91/个
100+	¥23.53/个
102+	¥23.53/个
104+	¥23.53/个

嘉立创SMT补贴

整盘

单价

整盘单价¥21.6476

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