反向传输电容(Crss):115pF,导通电阻(RDS(on)):200mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):240nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):400W,输入电容(Ciss):8100pF,输出电容(Coss):530pF,连续漏极电流(Id):30A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 输入电容(Ciss) | 8100pF | |
| 输出电容(Coss) | 530pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |