反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):7.2Ω@1.2V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):50V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):200mW,输入电容(Ciss):25pF@10V,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):1V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2Ω@1.2V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.687/个 |
| 50+ | ¥0.603/个 |
| 150+ | ¥0.567/个 |
| 500+ | ¥0.523/个 |
| 3000+ | ¥0.44/个 |
| 6000+ | ¥0.428/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.424
3000 PCS/盘
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