反向传输电容(Crss):260pF,导通电阻(RDS(on)):4.8mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):86nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):140W,输入电容(Ciss):4360pF,输出电容(Coss):410pF,连续漏极电流(Id):90A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3.7V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 输入电容(Ciss) | 4360pF | |
| 输出电容(Coss) | 410pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V@250uA |