反向传输电容(Crss):18pF,导通电阻(RDS(on)):8Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):38nC@10V,漏源电压(Vdss):900V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):54W,输入电容(Ciss):490pF,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):1.7A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.12/个 |
| 10+ | ¥8.91/个 |
| 30+ | ¥8.77/个 |
| 100+ | ¥8.64/个 |
| 500+ | ¥8.64/个 |
| 1000+ | ¥8.64/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.0684
50 PCS/盘
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