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AP50N20MP
扩展库- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 厂家型号
- AP50N20MP
- 商品编号
- C3011397
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.0074千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):101pF@25V,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):154nC,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):104W,输入电容(Ciss):2800pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 101pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 154nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 输入电容(Ciss) | 2800pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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