反向传输电容(Crss):53pF@15V,导通电阻(RDS(on)):72mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):6.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.32W,输入电容(Ciss):620pF@15V,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 53pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.32W | |
输入电容(Ciss) | 620pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |