HXY2300MI实物图
HXY2300MI缩略图
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HXY2300MI

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品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号
HXY2300MI
商品编号
C3033387
商品封装
SOT-23-3L
商品毛重
0.000015千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
-

商品参数

反向传输电容(Crss):96pF,导通电阻(RDS(on)):27mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):500pF,输出电容(Coss):295pF,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)96pF
导通电阻(RDS(on))27mΩ@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)15nC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)1.25W
输入电容(Ciss)500pF
输出电容(Coss)295pF
连续漏极电流(Id)9A
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA

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