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STD12N60DM6
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STD12N60DM6
- 商品编号
- C3277927
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 商品毛重
- 0.000437千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):4.7pF,导通电阻(RDS(on)):390mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):90W,输入电容(Ciss):508pF,输出电容(Coss):28pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):4.75V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 输出电容(Coss) | 28pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V@250uA |
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