导通电阻(RDS(on)):41mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):102nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):227W,输入电容(Ciss):4975pF,输出电容(Coss):75pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 输入电容(Ciss) | 4975pF | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥34.75/个 |
| 10+ | ¥29.67/个 |
| 30+ | ¥26.58/个 |
| 90+ | ¥23.98/个 |
| 92+ | ¥23.98/个 |
| 94+ | ¥23.98/个 |
整盘
单价
整盘单价¥24.4536
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