导通电阻(RDS(on)):125mΩ@10V,26A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):245nC@10V,漏源电压(Vdss):1000V,耗散功率(Pd):1250W,输入电容(Ciss):6725pF@25V,连续漏极电流(Id):52A,阈值电压(Vgs(th)):6V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,26A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 245nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 1000V | |
耗散功率(Pd) | 1250W | |
输入电容(Ciss) | 6725pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 52A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 6V |