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RM12N650LD
扩展库- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 厂家型号
- RM12N650LD
- 商品编号
- C3281377
- 商品封装
- TO-252-2
- 商品毛重
- 0.000437千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):1.8pF,导通电阻(RDS(on)):360mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):101W,输入电容(Ciss):870pF,输出电容(Coss):54pF,连续漏极电流(Id):11.5A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 101W | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 输出电容(Coss) | 54pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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