导通电阻(RDS(on)):1Ω@10V,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):2840pF@25V,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 2840pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |