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FQA30N40
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQA30N40
- 商品编号
- C463739
- 商品封装
- TO-3P
- 商品毛重
- 0.006954千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):80pF,导通电阻(RDS(on)):140mΩ@10V,15A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):120nC@320V,漏源电压(Vdss):400V,耗散功率(Pd):290W,输入电容(Ciss):4400pF@25V,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V,15A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@320V | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 耗散功率(Pd) | 290W | |
| 输入电容(Ciss) | 4400pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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