反向传输电容(Crss):20pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@10V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):28nC@10V,漏源电压(Vdss):900V,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):1150pF,连续漏极电流(Id):5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 900V | |
耗散功率(Pd) | 150W | |
输入电容(Ciss) | 1150pF | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |