反向传输电容(Crss):250pF,导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):188nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):278W,输入电容(Ciss):7120pF,输出电容(Coss):490pF,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 输入电容(Ciss) | 7120pF | |
| 输出电容(Coss) | 490pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |