反向传输电容(Crss):80pF,导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V,工作温度:-55℃~+125℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):350V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):200pF,输出电容(Coss):100pF,连续漏极电流(Id):140mA,阈值电压(Vgs(th)):3.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@0V | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 140mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.48/个 |
| 10+ | ¥4.47/个 |
| 30+ | ¥3.96/个 |
| 100+ | ¥3.46/个 |
| 500+ | ¥3.16/个 |
| 1000+ | ¥3/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.76
1000 PCS/盘
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