导通电阻(RDS(on)):60mΩ,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):150W,连续漏极电流(Id):36A
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A |