反向传输电容(Crss):200pF,导通电阻(RDS(on)):0.57Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):290nC@10V,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):690W,输入电容(Ciss):6200pF,输出电容(Coss):1080pF,连续漏极电流(Id):22A,阈值电压(Vgs(th)):5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.57Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 290nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 690W | |
| 输入电容(Ciss) | 6200pF | |
| 输出电容(Coss) | 1080pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |