导通电阻(RDS(on)):38mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):52nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):2.1W,耗散功率(Pd):83.3W,输入电容(Ciss):2953pF@30V,连续漏极电流(Id):5A,连续漏极电流(Id):31.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 2.1W | |
耗散功率(Pd) | 83.3W | |
输入电容(Ciss) | 2953pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
连续漏极电流(Id) | 31.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |