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FDD306P
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDD306P
- 商品编号
- C336030
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.00048千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):90mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):21nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):52W,输入电容(Ciss):1290pF@6V,连续漏极电流(Id):6.7A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 输入电容(Ciss) | 1290pF@6V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
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