上升时间(tr):8ns,下降时间(tf):-,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,功能特性:使能关断,功能特性:内置自举二极管,功能特性:交错导通保护,工作温度:0℃~+70℃,工作电压:4.5V~5.5V,拉电流(IOH):-,灌电流(IOL):4A,特性:-,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):1.7V~2V,静态电流(Iq):132uA,驱动通道数:2,驱动配置:-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 功能特性 | 使能关断 | |
| 功能特性 | 内置自举二极管 | |
| 功能特性 | 交错导通保护 | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 特性 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2V | |
| 静态电流(Iq) | 132uA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | - |