上升时间(tr):8ns,下降时间(tf):8ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,功能特性:使能关断,工作温度:-40℃~+140℃,工作电压:4.5V~20V,拉电流(IOH):5A,灌电流(IOL):5A,特性:-,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.8V~1.2V,输入高电平(VIH):1.8V~2.2V,静态电流(Iq):1.4mA,驱动通道数:2,驱动配置:低边
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 功能特性 | 使能关断 | |
| 工作温度 | -40℃~+140℃ | |
| 工作电压 | 4.5V~20V | |
| 拉电流(IOH) | 5A | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 特性 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V~1.2V | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V~2.2V | |
| 静态电流(Iq) | 1.4mA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 低边 |