上升时间(tr):25ns,下降时间(tf):25ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,功能特性:使能关断,工作温度:0℃~+70℃,工作电压:4.5V~18V,拉电流(IOH):1.5A,灌电流(IOL):2A,特性:欠压保护(UVP),特性:过热保护(OTP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):-,静态电流(Iq):2mA,驱动通道数:4,驱动配置:全桥
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 25ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 功能特性 | 使能关断 | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电压 | 4.5V~18V | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 特性 | 过热保护(OTP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 静态电流(Iq) | 2mA | |
| 驱动通道数 | 4 | |
| 驱动配置 | 全桥 |