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R2J20651NP#G3
扩展库- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 厂家型号
- R2J20651NP#G3
- 商品编号
- C3655392
- 商品封装
- -
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
上升时间(tr):-,下降时间(tf):-,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,功能特性:使能关断,功能特性:内置自举二极管,工作温度:-40℃~+150℃,工作电压:4.5V~14V,拉电流(IOH):-,灌电流(IOL):-,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.9V~1.5V,输入高电平(VIH):1.7V~2.5V,静态电流(Iq):-,驱动通道数:-,驱动配置:低边,驱动配置:高边
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间(tf) | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 功能特性 | 使能关断 | |
| 功能特性 | 内置自举二极管 | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 工作电压 | 4.5V~14V | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0.9V~1.5V | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.5V | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 驱动通道数 | - | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 驱动配置 | 高边 |
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