反向传输电容(Crss):5.8pF,导通电阻(RDS(on)):1.25Ω@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):750pC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):250mW,输入电容(Ciss):43.5pF,输出电容(Coss):5.8pF,连续漏极电流(Id):500mA,阈值电压(Vgs(th)):0.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 输入电容(Ciss) | 43.5pF | |
| 输出电容(Coss) | 5.8pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.151/个 |
| 200+ | ¥0.12/个 |
| 600+ | ¥0.103/个 |
| 2000+ | ¥0.0923/个 |
| 10000+ | ¥0.0832/个 |
| 20000+ | ¥0.0783/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.07654
10000 PCS/盘
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