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HSBB1260
扩展库- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 厂家型号
- HSBB1260
- 商品编号
- C42376793
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):940pF,导通电阻(RDS(on)):2.6mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):37nC@10V,漏源电压(Vdss):12V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):62W,输入电容(Ciss):5050pF,输出电容(Coss):1060pF,连续漏极电流(Id):100A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 940pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 输入电容(Ciss) | 5050pF | |
| 输出电容(Coss) | 1060pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.829/个 |
| 50+ | ¥0.724/个 |
| 150+ | ¥0.679/个 |
| 500+ | ¥0.623/个 |
| 3000+ | ¥0.598/个 |
| 6000+ | ¥0.583/个 |
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