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ID:97A VDSS:650V RDON:25mR N沟道
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HNVH4L045N065SC1
- 商品编号
- C42389160
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.00688千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):33pF,导通电阻(RDS(on)):45mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):172nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):429W,输入电容(Ciss):3280pF,输出电容(Coss):359pF,连续漏极电流(Id):97A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 172nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 429W | |
| 输入电容(Ciss) | 3280pF | |
| 输出电容(Coss) | 359pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥49.465/个 |
| 10+ | ¥48.33/个 |
| 30+ | ¥47.582/个 |
| 90+ | ¥46.825/个 |
| 92+ | ¥46.825/个 |
| 94+ | ¥46.825/个 |
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