反向传输电容(Crss):8.5pF,导通电阻(RDS(on)):26mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):145nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):625W,输入电容(Ciss):7950pF,输出电容(Coss):390pF,连续漏极电流(Id):102A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@2mA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 625W | |
输入电容(Ciss) | 7950pF | |
输出电容(Coss) | 390pF | |
连续漏极电流(Id) | 102A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@2mA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥31.4/个 |
10+ | ¥26.98/个 |
30+ | ¥22.55/个 |
90+ | ¥19.9/个 |
510+ | ¥18.67/个 |
990+ | ¥18.12/个 |
整盘
单价
整盘单价¥20.746
30 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉54.12元