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BMD60N600C1
扩展库- 品牌名称
- Bestirpower(萃锦半导体)
- 厂家型号
- BMD60N600C1
- 商品编号
- C46472750
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):1.3pF,导通电阻(RDS(on)):600mΩ@10V,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):62.5W,输入电容(Ciss):370pF,输出电容(Coss):23pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 输出电容(Coss) | 23pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.53/个 |
| 10+ | ¥2/个 |
| 50+ | ¥1.78/个 |
| 100+ | ¥1.5/个 |
| 500+ | ¥1.37/个 |
| 1000+ | ¥1.3/个 |
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